Taiwan Semiconductor MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 35 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPDFN56, TSM220NB06LCR

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋25個入り) 小計：*

￥5,245.00

(税抜)

￥5,769.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
取扱終了
  • 1,625 は海外在庫あり（最終在庫）
個
単価
購入単位毎合計*
25 - 25￥209.80￥5,245
50 - 75￥207.16￥5,179
100 - 225￥204.48￥5,112
250 - 975￥201.84￥5,046
1000 +￥199.24￥4,981

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
216-9704
メーカー型番:
TSM220NB06LCR
メーカー/ブランド名:
Taiwan Semiconductor
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Taiwan Semiconductor

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

35A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

PDFN56

シリーズ

TSM025

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

22mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

23nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

68W

順方向電圧 Vf

1V

動作温度 Max

175°C

長さ

6.2mm

幅

4.2 mm

規格 / 承認

IEC 61249-2-21, RoHS, WEEE

高さ

1.1mm

自動車規格

なし

Taiwan Semiconductor のシングル N チャネルパワー MOSFET トランジスタは、「酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子に流れる電流の制御です。

Taiwan Semiconductor のシングル N チャネルパワー MOSFET トランジスタは、「酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子に流れる電流の制御です。

低 RDS （ ON ）で、導電損失を最小限に抑えます 低ゲート電荷量で高速電力スイッチングを実現します 100 % UIS 及び Rg テスト済み

低 RDS （ ON ）で、導電損失を最小限に抑えます 低ゲート電荷量で高速電力スイッチングを実現します 100 % UIS 及び Rg テスト済み

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

関連ページ