Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 5 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, IPD60R1K5CEAUMA1

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梱包形態
RS品番:
217-2521
メーカー型番:
IPD60R1K5CEAUMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.5Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

49W

順方向電圧 Vf

0.9V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

9.4nC

動作温度 Min

-40°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

150°C

長さ

6.73mm

高さ

2.41mm

規格 / 承認

No

幅

6.22 mm

自動車規格

なし

Infineon CoolMOS ™ CE は、ハードスイッチングおよびソフトスイッチングの用途に適しています。また、最新のスーパージャンクションとして、低導電損失とスイッチング損失を実現して効率を高め、最終的に消費電力を削減します。 600 V 、 650 V 、 700 V CoolMOS ™ CE は、最適な R DS （ on ）とパッケージを組み合わせた、携帯電話やタブレット用の低電力充電器です。

標準 R DS と最大 R DS （ on ）の間の余白が狭い

出力静電容量（ Eoss ）に保存されているエネルギーを削減

堅牢なボディダイオードで、逆回復電荷を低減します （ Q rr ）

最適化された統合 R g

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