型番

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 12 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220

RS品番:: 217-2560
メーカー型番:: IPP60R210CFD7XKSA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 12 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220

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RS品番:: 217-2560
メーカー型番:: IPP60R210CFD7XKSA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	12A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	600V
	パッケージ型式	TO-220
	シリーズ	CoolMOS 7
	取付タイプ	スルーホール
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	210mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	0.9V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	23nC
	最大許容損失Pd	64W
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	No
	高さ	29.95mm
	長さ	10.36mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 12A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V
	パッケージ型式 TO-220
	シリーズ CoolMOS 7
	取付タイプスルーホール
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 210mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 0.9V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 23nC
	最大許容損失Pd 64W
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 No
	高さ 29.95mm
	長さ 10.36mm
	自動車規格なし

Datasheet - IPP60R210CFD7XKSA1

Infineon CoolMOS は、スーパージャンクション（ SJ ）原理に従って設計された Infineon CoolMOS の画期的な高電圧 MOSFET 技術です

超高速ボディダイオード

低ゲート電荷量

クラス最高の逆回復電荷（ Qrr ）

MOSFET 逆ダイオード dv/dt と DIF/dtrueness が改善されています

最低の FOMRDS(on)*Qg および RDS (on)*eOSS

SMD 及び THD パッケージでクラス最高の RDS （ on ）です

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