型番

Infineon MOSFET, Nチャンネル, 分離式, 1.2 kV, 50 A, 33 mΩ, 2ピン, パッケージ：AG-EASY1B

RS品番:: 217-7180
メーカー型番:: FF23MR12W1M1B11BOMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, Nチャンネル, 分離式, 1.2 kV, 50 A, 33 mΩ, 2ピン, パッケージ：AG-EASY1B

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RS品番:: 217-7180
メーカー型番:: FF23MR12W1M1B11BOMA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	N
	トランジスタ構成	分離式
	最大ドレイン-ソース間電圧(Vds)	1.2 kV
	最大連続ドレイン電流(Id)	50 A
	最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds)	33 mΩ
	ピン数	2
	パッケージ型式	AG-EASY1B
	自動車規格	なし
	順方向電圧 (Vf)	5.65 V
	高さ	16.4 mm
	長さ	62.8 mm
	最大ゲートソース電圧(Vgs)	20 V
	動作温度 (Max)	150 °C
	最大許容損失(Pd)	20 mW
	動作温度 (Min)	-40 °C
	取付タイプ	シャーシ
	シリーズ	CoolSiC
	規格 / 承認	No
	幅	33.8 mm

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプ N
	トランジスタ構成分離式
	最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 1.2 kV
	最大連続ドレイン電流(Id) 50 A
	最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 33 mΩ
	ピン数 2
	パッケージ型式 AG-EASY1B
	自動車規格なし
	順方向電圧 (Vf) 5.65 V
	高さ 16.4 mm
	長さ 62.8 mm
	最大ゲートソース電圧(Vgs) 20 V
	動作温度 (Max) 150 °C
	最大許容損失(Pd) 20 mW
	動作温度 (Min) -40 °C
	取付タイプシャーシ
	シリーズ CoolSiC
	規格 / 承認 No
	幅 33.8 mm

Datasheet - FF23MR12W1M1B11BOMA1

The Infineon EasyDUAL 1B 1200 V / 23 mΩ half bridge module with CoolSiC MOSFET, integrated NTC temperature sensor and PressFIT Contact Technology

High current density

Best in class switching and conduction losses

Low inductive design

RoHS-compliant modules

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