Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 150 V, 13 A, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, IRF6215STRLPBF
- RS品番:
- 218-3098
- メーカー型番:
- IRF6215STRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1 袋(1袋15個入り) 小計：*
￥4,417.005
(税抜)
￥4,858.71
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2027年1月04日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 15 - 30 | ￥294.467 | ￥4,417 |
| 45 - 360 | ￥266.533 | ￥3,998 |
| 375 - 435 | ￥239.667 | ￥3,595 |
| 450 - 660 | ￥211.80 | ￥3,177 |
| 675 + | ￥183.867 | ￥2,758 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 218-3098
- メーカー型番:
- IRF6215STRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 13A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 290mΩ | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 110W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 44nC | |
| 順方向電圧 Vf | -1.6V | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 幅 | 9.65 mm | |
| 高さ | 4.83mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 13A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 290mΩ | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 110W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 44nC | ||
順方向電圧 Vf -1.6V | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.67mm | ||
幅 9.65 mm | ||
高さ 4.83mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IRF シリーズのシングル P チャンネルパワー MOSFET です。Advanced Processing 技術を利用して、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。高電流用途に適しています。
高速スイッチング
P チャンネル
動作温度: 175 °C