Infineon MOSFET, タイプPチャンネル, 150 V, 13 A, 290 mΩ, 44 nC, 3ピン, パッケージ：TO-263
- RS品番:
- 218-3098
- メーカー型番:
- IRF6215STRLPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 13A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 150V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 290mΩ | |
| 順方向電圧 Vf | -1.6V | |
| 最大許容損失Pd | 110W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 44nC | |
| 高さ | 4.83mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.67mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 13A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 150V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 290mΩ | ||
順方向電圧 Vf -1.6V | ||
最大許容損失Pd 110W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 44nC | ||
高さ 4.83mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.67mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IRF シリーズのシングル P チャンネルパワー MOSFET です。Advanced Processing 技術を利用して、シリコン面積当たりのオン抵抗を極めて低く抑えています。高電流用途に適しています。
高速スイッチング
P チャンネル
動作温度: 175 °C
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