Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 23 A, 表面 パッケージTO-252

ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール2000個入り) 小計:*

¥129,042.00

(税抜)

¥141,946.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年3月13日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
2000 - 8000¥64.521¥129,042
10000 - 18000¥63.231¥126,462
20000 - 48000¥59.855¥119,710
50000 - 98000¥58.169¥116,338
100000 +¥56.492¥112,984

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
218-3127
メーカー型番:
IRLR2703TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

23A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-252

取付タイプ

表面

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

65mΩ

最大許容損失Pd

341W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

162nC

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

15.87mm

高さ

20.7mm

5.31 mm

自動車規格

なし

Infineon HEXFET シリーズ N チャンネルパワー MOSFET です。Advanced Processing 技術を利用して、シリコン面積当たりのオン抵抗を可能な限り低く抑えています。この MOSFET は、気相、赤外線、ウェーブの各はんだ付けによる表面実装向けに設計されています。

超低ON抵抗

高速スイッチング

完全アバランシェ定格

鉛フリー

関連ページ