STMicroelectronics MOSFET, Nチャンネル, 40 A, 表面実装, 5 ピン, SCTL90N65G2V
- RS品番:
- 219-4225
- メーカー型番:
- SCTL90N65G2V
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- SCTL90N65G2V
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 40 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V | |
| シリーズ | SCTL90N | |
| パッケージタイプ | PowerFLAT 8x8 HV | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 0.24 Ω | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 5V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 40 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 650 V | ||
シリーズ SCTL90N | ||
パッケージタイプ PowerFLAT 8x8 HV | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 0.24 Ω | ||
最大ゲートしきい値電圧 5V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
STの先進的かつ革新的な第2世代Sic MOSFETテクノロジーにより開発されたSTMicroelectronics シリコンカーバイドパワー MOSFET デバイスです。単位面積あたりのオン抵抗が非常に低く、スイッチング性能に優れています。スイッチング損失の変動は、ジャンクション温度にほとんど依存しません。
非常に高速で堅牢なボディダイオード
低静電容量
ソース検出ピンで効率アップ
低静電容量
ソース検出ピンで効率アップ
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