Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 236 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-247, IPW60R037CSFDXKSA1

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梱包形態
RS品番:
219-6021
メーカー型番:
IPW60R037CSFDXKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

236A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

CoolMOS CSFD

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

37mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1V

最大許容損失Pd

245W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

136nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

16.13mm

幅

21.1 mm

高さ

5.21mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Infineon IPW60R037CSFD CoolMOSスーパージャンクションMOSFETは、オフボードEV充電の市場セグメントに対応するよう最適化されたデバイスです。低ゲート電荷量（Qg）と改善されたスイッチング動作により、対象とする用途において最高の効率を発揮します。さらに、高速ボディダイオードを内蔵し、逆回復電荷（Qrr）を大幅に低減することで、共振トポロジにおける最高の信頼性を実現しています。これらの特長により、IPW60R037CSFDは、オフボードEV充電ステーション市場の効率と信頼性の基準を満たし、さらに高電力密度ソリューションに対応しています。

超高速ボディダイオード

クラス最高の逆回復電荷（ Qrr ）

逆方向ダイオードのdv/dtとdif/dtの耐久性向上

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