2 Infineon パワー トランジスタ デュアル, タイプNチャンネル, 20 A, 表面 40 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージTDSON

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 リール(1リール5000個入り) 小計：*

￥448,225.00

(税抜)

￥493,050.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 本日発注の場合は 2026年4月20日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5000 - 5000￥89.645￥448,225
10000 - 45000￥89.554￥447,770
50000 - 70000￥88.557￥442,785
75000 - 95000￥87.56￥437,800
100000 +￥86.564￥432,820

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
220-7421
メーカー型番:
IPG20N04S4L07AATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

パワー トランジスタ

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

20A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

OptiMOS

パッケージ型式

TDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.2mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

65W

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

順方向電圧 Vf

0.9V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

39nC

トランジスタ構成

デュアル

動作温度 Max

175°C

長さ

5.15mm

高さ

1mm

幅

5.9 mm

規格 / 承認

RoHS

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

Infineonは、新しいOptiMOS技術を使用した20V～40VのNチャネル車載用認定パワーMOSFETを、さまざまなニーズに対応するために多様なパッケージで提供し、0.6mΩまでのRDS(on)を達成します。新しいOptiMOS 6とOptimos5 40VベンチマークMOSFET技術は、低伝導損失（クラス最高のRDS(on)性能）、低スイッチング損失（スイッチング動作改善）、ダイオード回復とEMC動作改善を実現します。このMOSFET技術は、最高の製品性能と品質を実現するために、最先端の革新的なパッケージに使用されています。設計の柔軟性を最大限高めるため、車載用MOSFETは幅広いニーズに対応できるように、様々なパッケージで提供されています。Infineon は、電流容量、スイッチング動作、信頼性、パッケージサイズ、全体の品質を着実に改善しています。新開発の集積型ハーフブリッジは、モータードライブや車体用途に適した革新的でコスト効率の高いパッケージソリューションです。

デュアル N チャンネルロジックレベル - エンハンスメントモード

MSL1 のピークリフロー： 最大260 ℃

動作温度： 175 ° C

関連ページ