Infineon MOSFETおよびダイオード, Nチャンネル, 950 V, 4 A, 2 Ω, 10 nC, 3ピン, パッケージ：TO-251
- RS品番:
- 220-7451
- メーカー型番:
- IPU95R2K0P7AKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 220-7451
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- IPU95R2K0P7AKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFETおよびダイオード | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 950V | |
| パッケージ型式 | TO-251 | |
| シリーズ | CoolMOS P7 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 0.9V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 10nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 最大許容損失Pd | 37W | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 2.41mm | |
| 高さ | 6.22mm | |
| 長さ | 6.73mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFETおよびダイオード | ||
最大連続ドレイン電流Id 4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 950V | ||
パッケージ型式 TO-251 | ||
シリーズ CoolMOS P7 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 0.9V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 10nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
最大許容損失Pd 37W | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 2.41mm | ||
高さ 6.22mm | ||
長さ 6.73mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IPU95R2K0P7 は、高電圧 MOSFET 分野で高まる消費者ニーズを満たすように設計されています。最新の950V CoolMOS P7テクノロジーは、低消費電力SMPSに注力しています。従来の900VCool MOS C3からブロッキング電圧を50V向上させ、950V CoolMOS P7シリーズは、効率、熱性能、使いやすさの面で優れた性能を発揮します。他のP7ファミリーと同様に、950VのCoolMOS P7シリーズはツェナーダイオードのESD保護機能を内蔵しています。この内蔵ダイオードにより、ESD耐性の向上、ESDに関連する生産損失の低減、抜群の使いやすさを実現しています。CoolMOS P7は、クラス最高の3 VのVGS(th)と± 0.5 Vの小さい公差で開発されているため、駆動しやすく設計が容易です。
クラス最高の FOM RDS （ on ） eOSS; Qg、Ciss、Cossの低減
DPAKでクラス最良のR DS(on) 450mΩ
クラス最良のV(GS)th 3V、最小のV(GS)th変動 ±0.5V
内蔵ツェナーダイオードによるクラス2（HBM）までのESD保護
クラス最高の品質と信頼性
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