Infineon MOSFETおよびダイオード, タイプNチャンネル 950 V, 4 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-251

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RS品番:
220-7451
メーカー型番:
IPU95R2K0P7AKMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFETおよびダイオード

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

950V

パッケージ型式

TO-251

シリーズ

CoolMOS P7

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

2Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.9V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

37W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

高さ

6.22mm

幅

2.41 mm

規格 / 承認

No

長さ

6.73mm

自動車規格

なし

Infineon IPU95R2K0P7 は、高電圧 MOSFET 分野で高まる消費者ニーズを満たすように設計されています。最新の950V CoolMOS P7テクノロジーは、低消費電力SMPSに注力しています。従来の900VCool MOS C3からブロッキング電圧を50V向上させ、950V CoolMOS P7シリーズは、効率、熱性能、使いやすさの面で優れた性能を発揮します。他のP7ファミリーと同様に、950VのCoolMOS P7シリーズはツェナーダイオードのESD保護機能を内蔵しています。この内蔵ダイオードにより、ESD耐性の向上、ESDに関連する生産損失の低減、抜群の使いやすさを実現しています。CoolMOS P7は、クラス最高の3 VのVGS(th)と± 0.5 Vの小さい公差で開発されているため、駆動しやすく設計が容易です。

クラス最高の FOM RDS （ on ） eOSS; Qg、Ciss、Cossの低減

DPAKでクラス最良のR DS(on) 450mΩ

クラス最良のV(GS)th 3V、最小のV(GS)th変動 ±0.5V

内蔵ツェナーダイオードによるクラス2（HBM）までのESD保護

クラス最高の品質と信頼性

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