Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 150 V, 171 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-247

ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本25個入り) 小計:*

¥31,544.00

(税抜)

¥34,698.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,075 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
1チューブあたりの価格*
25 - 100¥1,261.76¥31,544
125 - 225¥1,260.76¥31,519
250 - 600¥1,246.92¥31,173
625 - 1225¥1,234.12¥30,853
1250 +¥1,220.32¥30,508

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
222-4611
メーカー型番:
AUIRFP4568
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

171A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

150V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-247

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

5.9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

151nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

517W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

175°C

高さ

5.31mm

20.7 mm

長さ

15.87mm

規格 / 承認

No

自動車規格

AEC-Q101

Infineon HEXFET パワー MOSFET は、最新のプロセス技術により、シリコン面積あたりの低オン抵抗を実現します。HEXFET パワー MOSFET は、高速スイッチング速度と堅牢な設計により、車載用をはじめとするさまざまなアプリケーションで高い効率と信頼性を実現します。

高度なプラナーテクノロジー

デュアルNチャンネルMOSFET、低オン抵抗

ロジックレベルゲート駆動

関連ページ