Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 700 V, 6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-220, IPA70R900P7SXKSA1

RS品番:: 222-4644
メーカー型番:: IPA70R900P7SXKSA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 700 V, 6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-220, IPA70R900P7SXKSA1

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RS品番:: 222-4644
メーカー型番:: IPA70R900P7SXKSA1
メーカー/ブランド名:: インフィニオン

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	700V
	シリーズ	CoolMOS
	パッケージ型式	TO-220
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	900mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 6A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 700V
	シリーズ CoolMOS
	パッケージ型式 TO-220
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 900mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Infineon CoolMOSは、高電圧パワーMOSFET用の革新的な技術で、スーパージャンクション(SJ)原理に従って設計されており、Infineon技術によって始められました。最新の CoolMOS P7 は、充電器やアダプタ、照明、 TV など、コスト重視の消費者市場向け用途に最適化されたプラットフォームです。

非常に低いFOM RDS(on)*Qg及びRDS(on)*

EossProductの検証による非常に低い損失JEDEC 規格

スイッチング損失(Eoss)

ESD保護ダイオードを内蔵