2 Infineon パワー トランジスタ デュアル, タイプNチャンネル, 20 A, 表面 100 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージTDSON

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RS品番:
222-4680
メーカー型番:
IPG20N10S4L22ATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

パワー トランジスタ

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

20A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

CoolMOS

パッケージ型式

TDSON

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

22mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1V

最大許容損失Pd

60W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

21nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

トランジスタ構成

デュアル

動作温度 Max

175°C

高さ

1mm

規格 / 承認

AEC-Q101

幅

5.9 mm

長さ

5.15mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

InfineonのMOSFETは、MOSFETトランジスタとも呼ばれます。MOSFETは「金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ」の略称です。MOSFETは、コンデンサによって制御されるトランジスタデバイスです。「電界効果」とは、電圧によって制御されることを意味します。MOSFETを使用する目的は、ソース端子からドレイン端子へ流れる電流を制御することです。

環境に優しい製品（RoHS準拠）

MSL1 260℃までのピークリフロー、AEC Q101認定

OptiMOSTM - 自動車用途向けパワーMOSFET

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