1 Infineon MOSFET デュアル, タイプNチャンネル, 250 A, シャーシ 1200 V エンハンスメント型 パッケージAG-62MM
- RS品番:
- 222-4795
- メーカー型番:
- FF6MR12KM1BOSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | ￥94,358.30 | ￥943,583 |
| 20 - 90 | ￥92,471.30 | ￥924,713 |
| 100 - 140 | ￥90,622.00 | ￥906,220 |
| 150 - 190 | ￥88,808.60 | ￥888,086 |
| 200 + | ￥87,033.00 | ￥870,330 |
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- RS品番:
- 222-4795
- メーカー型番:
- FF6MR12KM1BOSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 250A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 1200V | |
| パッケージ型式 | AG-62MM | |
| シリーズ | FF6MR | |
| 取付タイプ | シャーシ | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5.81mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -40°C | |
| 順方向電圧 Vf | 5.85V | |
| 最大許容損失Pd | 20mW | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| トランジスタ構成 | デュアル | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 250A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 1200V | ||
パッケージ型式 AG-62MM | ||
シリーズ FF6MR | ||
取付タイプ シャーシ | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.81mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -40°C | ||
順方向電圧 Vf 5.85V | ||
最大許容損失Pd 20mW | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
トランジスタ構成 デュアル | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon 62 mm 1200 V、6 mΩハーフブリッジモジュールは、Cool SicTM MOSFETを搭載しています。
高電流密度
低スイッチング損失
優れたゲート酸化膜の信頼性
湿度に対する高い耐久性
堅牢なボディダイオードを内蔵し、最適な温度条件を実現