Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 80 V, 43 A, 表面, 8-Pin パッケージHSOF
- RS品番:
- 225-0582P
- メーカー型番:
- IPT010N08NM5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|
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- RS品番:
- 225-0582P
- メーカー型番:
- IPT010N08NM5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 43A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 80V | |
| パッケージ型式 | HSOF | |
| シリーズ | IPT010N08NM5 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.05mΩ | |
| 最大許容損失Pd | 375W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 178nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.1mm | |
| 高さ | 2.4mm | |
| 幅 | 10.58 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 43A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 80V | ||
パッケージ型式 HSOF | ||
シリーズ IPT010N08NM5 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.05mΩ | ||
最大許容損失Pd 375W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 178nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.1mm | ||
高さ 2.4mm | ||
幅 10.58 mm | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon IPT010N08NM5は、TOLLパッケージの80V、1.05mΩ、425AのシングルNチャンネルOptiMOS 5パワーMOSFETです。OptiMOS 5シリコンテクノロジーは、通信機器やサーバーの電源の同期整流向けに設計された新世代のパワーMOSFETです。
電力密度の向上
低電圧オーバーシュート
並列の必要性を低減
最高レベルのシステム効率
スイッチング損失と伝導損失を削減