STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 6 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252
- RS品番:
- 225-0672P
- メーカー型番:
- STD9N60M6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 225-0672P
- メーカー型番:
- STD9N60M6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| パッケージ型式 | TO-252 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 750mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 76W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.6V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 10nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
パッケージ型式 TO-252 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 750mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 76W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.6V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 10nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
STMicroelectronicsの新しいMDmesh M6 テクノロジーは、よく知られたMDmeshファミリーのSJ MOSFETに最新の進歩を取り入れています。STMicroelectronicsは、前世代のMDmeshデバイスをベースに、単位面積当たりの優れたRDS（on）改善と最も効率的なスイッチング動作の1つを組み合わせた新しいM6テクノロジーを採用し、最終使用効率を最大限に高めるユーザーフレンドリーな体験を実現しています。
スイッチング損失の低減
単位面積あたりのRDS(on)を前世代より低減
低ゲート入力抵抗
100 %アバランシェテスト済み
ツェナプロテクト
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