Infineon MOSFET, Nチャンネル, 40 V, 50 A, 5.8 mΩ, 13 nC, 8ピン, パッケージ：SuperSO
- RS品番:
- 229-1829
- メーカー型番:
- IPC50N04S55R8ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示5000個小計, 5000のリール巻き：*
￥318,000
(税抜)
￥349,800
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
一時的に在庫切れ
- 本日発注の場合は 2027年4月16日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5000 - 5000 | ￥63.60 | ￥318,000 |
| 10000 - 45000 | ￥63.311 | ￥316,555 |
| 50000 - 70000 | ￥62.371 | ￥311,855 |
| 75000 - 95000 | ￥61.441 | ￥307,205 |
| 100000 + | ￥60.512 | ￥302,560 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 229-1829
- メーカー型番:
- IPC50N04S55R8ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 50A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| シリーズ | IPC | |
| パッケージ型式 | SuperSO | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5.8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 42W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 13nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 5.25mm | |
| 幅 | 5.58mm | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流Id 50A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
シリーズ IPC | ||
パッケージ型式 SuperSO | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 42W | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 5.25mm | ||
幅 5.58mm | ||
高さ 1.1mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon IPCシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧40V、最大連続ドレイン電流50A - IPC50N04S55R8ATMA1
このMOSFETは、要求の厳しい電子システムのスイッチングおよび制御用に設計された表面実装パワートランジスタです。過酷な環境に適した幅広い温度範囲で動作し、低オン抵抗のNチャンネル強化デバイスを提供し、コンパクトなアセンブリで効率的な電流供給を実現します。
特長：
• 低Rds(on) 5.8mΩにより、導通損失を低減し、効率を向上
• 40V Vdsにより、中電圧電源スイッチング機能を実現
• 50Aの連続ドレイン電流により、高電流用途に対応
• 42Wの消費電力により、持続的な熱負荷処理が可能
• 13nC標準ゲート充電により、低ドライブエネルギーで高速スイッチングを実現
• 20Vの最大ゲート許容差により、堅牢なゲートドライブマージンを実現
• 40V Vdsにより、中電圧電源スイッチング機能を実現
• 50Aの連続ドレイン電流により、高電流用途に対応
• 42Wの消費電力により、持続的な熱負荷処理が可能
• 13nC標準ゲート充電により、低ドライブエネルギーで高速スイッチングを実現
• 20Vの最大ゲート許容差により、堅牢なゲートドライブマージンを実現
用途
• 自動車用配電モジュールに最適
• DC-DCコンバータの出力段に最適
• 大きな連続電流を必要とするモータドライバで使用
• 制御ユニットの高電流負荷スイッチングに使用可能
• 高温で動作する熱応力電子機器に使用
• DC-DCコンバータの出力段に最適
• 大きな連続電流を必要とするモータドライバで使用
• 制御ユニットの高電流負荷スイッチングに使用可能
• 高温で動作する熱応力電子機器に使用
信頼性の高い動作温度範囲は?
-55°C～175°Cで動作し、幅広い熱環境に対応します。
どのようなパッケージおよび取り付け形式を採用していますか?
表面実装用のコンパクトなSuperSOパッケージで提供されます。
プリント基板統合用のピン数はどれくらいですか?
このデバイスは、接続と熱経路に8ピン構成を採用しています。
どのようなチャンネル伝導方式を採用し、どのように機能しますか?
ポジティブゲートドライブを必要とするエンハンスメントモードで動作するNチャンネルデバイスです。
このデバイスは、車載用認定要件に適合していますか？
コンポーネント選択に関するAEC‐Q101自動車規格に準拠しています。
関連ページ
- Infineon MOSFET 40 V 5.8 mΩ 8ピン, パッケージ：SuperSO
- Infineon MOSFET 40 V 2.8 mΩ 8ピン, パッケージ：SuperSO
- Infineon MOSFET 40 V 1.7 mΩ 8ピン, パッケージ：SuperSO
- Infineon MOSFET 40 V 1.9 mΩ 8ピン, パッケージ：SuperSO
- Infineon MOSFET 40 V 1.4 mΩ 8ピン, パッケージ：SuperSO8 5 x 6
- Infineon MOSFET 40 V 4.6 mΩ 8ピン, パッケージ：SuperSO
- Infineon MOSFET 40 V 2.6 mΩ 8ピン, パッケージ：SuperSO
- Infineon MOSFET 40 V 1.9 mΩ 8ピン, パッケージ：SuperSO