Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 50 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSuperSO
- RS品番:
- 229-1829
- メーカー型番:
- IPC50N04S55R8ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 229-1829
- メーカー型番:
- IPC50N04S55R8ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 50A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| シリーズ | IPC | |
| パッケージ型式 | SuperSO | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 5.8mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 42W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.1V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 13nC | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 5.25mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 1.1mm | |
| 幅 | 5.58 mm | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 50A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
シリーズ IPC | ||
パッケージ型式 SuperSO | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 5.8mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 42W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.1V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13nC | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 5.25mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 1.1mm | ||
幅 5.58 mm | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
40 V、Nチャンネル、最大0.9 mΩ、自動車用MOSFET、PQNF、OptiMOSTM-6
Infineonは、最新のOptiMOSTM6 40 V電力MOS技術を、自動車用途向けの最高レベルの品質と堅牢性を備えた5 x 6 mm2 SS08リードレスパッケージで導入しています。16製品のポートフォリオ(RDSon_max 0.8mΩ から 4.4mΩ まで)は、ボディアプリケーションなどの低出力から、EPSなどの高出力アプリケーションまで、顧客が自分のアプリケーションに最適な製品を見つけることができます。
これらすべてにより、市場で最高のFOM(RDSon x Qg)と性能を発揮します。新しいSS08製品は、120 Aの連続定格電流を備えています。 >フットプリント面積のほぼ半分で標準のDPAKより25 %高くなっています。
さらに、新世代のSS08パッケージは、新しい銅クリップインターコンタクト技術を使用することで、非常に低いパッケージインダクタンス(DPAK、D2PAKなどの従来のパッケージに比べてパッケージインダクタンスが4倍低い)により、優れたスイッチング性能とEMI動作を実現します。
機能の概要
• OptiMOSTM - 自動車用途向けのパワーMOSFET
• Nチャンネル - 強化モード - 標準レベル
• AEC Q101資格
• MSL1最大260 °Cのピークリフロー
• 175 °Cの動作温度
• 環境配慮製品(RoHS対応)
• 100 %アバランシェテスト済み
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