STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 180 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージH2PAK-2, STH200N10WF7-2

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RS品番:
234-8895
メーカー型番:
STH200N10WF7-2
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

180A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

STH200

パッケージ型式

H2PAK-2

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

4mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

340W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

93nC

順方向電圧 Vf

1.2V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

STIPFET F7は、 トレンチゲート構造によりリニアモード耐量が向上し、広いSOAと非常に低いオン抵抗を実現した、STMicroelectronicsのNチャンネルパワーMOSFETです。これにより、MOSFETはリニアモードとスイッチング動作の最適なトレードオフを実現しました。

クラス最高のSOA能力

大電流サージ対応

極めて低いオン抵抗

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