Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 445 A デプレッション型, 表面, 4-Pin パッケージPowerPAK （8x8L）

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RS品番:
239-8675
メーカー型番:
SQJQ112E-T1_GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

445A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

PowerPAK （8x8L）

取付タイプ

表面

ピン数

4

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.00253Ω

チャンネルモード

デプレッション型

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

255W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

43nC

動作温度 Max

125°C

長さ

6.15mm

規格 / 承認

No

幅

4.9 mm

自動車規格

AEC-Q101

Vishay TrenchFET®は、100 V、最大175 ℃で動作する車載用第4世代パワーNチャンネルMOSFETです。このMOSFETは、高電力密度に使用されます。

AEC-Q101認定

UISテスト済み

薄型パッケージ

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