Nexperia MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 7.9 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージMLPAK33, PXN017-30QLJ

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梱包形態
RS品番:
240-1983
メーカー型番:
PXN017-30QLJ
メーカー/ブランド名:
Nexperia
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ブランド

Nexperia

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

7.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

MLPAK33

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

13.6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

12.5W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

Nexperia Nチャンネル強化モード電界効果トランジスタ(FET)は、トレンチMOSFET技術を採用したMLPAK33 (SOT8002)表面実装型(SMD)プラスチックパッケージに収められています。

ロジックレベル互換

トレンチ構造MOSFET技術

超低QGとQGDにより、特に高いスイッチング周波数で高いシステム効率を実現

超高速スイッチングとソフトリカバリ

低スパイキングと低リンギングによる低EMI設計

MLPAK33パッケージ（占有面積3.3 x 3.3 mm）

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