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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	9.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	700V
	パッケージ型式	ThinPAK 5x6
	シリーズ	IPL
	取付タイプ	表面
	ピン数	5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	1.2mΩ
	最大ゲートソース電圧Vgs	3 V
	順方向電圧 Vf	0.9V
	最大許容損失Pd	25.5W
	動作温度 Min	-55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	80nC
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	RoHS
	長さ	6.35mm
	自動車規格	AEC-Q101

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 9.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 700V
	パッケージ型式 ThinPAK 5x6
	シリーズ IPL
	取付タイプ表面
	ピン数 5
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.2mΩ
	最大ゲートソース電圧Vgs 3 V
	順方向電圧 Vf 0.9V
	最大許容損失Pd 25.5W
	動作温度 Min -55°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 RoHS
	長さ 6.35mm
	自動車規格 AEC-Q101

Datasheet - IPLK70R750P7ATMA1

Infineon CoolMOS™ P7 スーパージャンクション(SJ) MOSFETシリーズは、低消費電力SMPS市場における典型的な課題に対応するように設計されており、優れた性能と使いやすさを発揮し、フォームファクタと価格競争力を向上させています。ThinPAK 5x6パッケージは、5x6 mm²の超小型フットプリントと、高さ1 mmのロープロファイルが特長です。これらの特長は、ベンチマークの低い寄生効果と相まって、フォームファクタが大幅に小さくなり、電力密度の向上に役立ちます。この組み合わせにより、ThinPAKのCoolMOS™ P7は対象アプリケーションに適しています。700 V CoolMOSTM P7ファミリは、フライバックトポロジ向けに最適化されています。

超低損失

優れた熱挙動

内蔵ESD保護ダイオード

低スイッチング損失（Eoss）

完全認証産業用JEDEC

クラス最高の品質と信頼性

低

幅広いRDS(on)値

完全に最適化されたポートフォリオトフォリオ

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 700 V, 9.4 A, 表面, 5-Pin パッケージThinPAK 5x6

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