Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 212 A N, 表面, 8-Pin パッケージPQFN, BSZ018NE2LSATMA1

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梱包形態
RS品番:
241-9697
メーカー型番:
BSZ018NE2LSATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

212A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

PQFN

シリーズ

BSZ

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.7mΩ

チャンネルモード

N

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

81W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

80nC

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon OptiMOS パワー MOSFET は、鉛フリーリードめっきを備えた Nチャンネル MOSFET です。高性能バックコンバータ向けに最適化されています。

超低オン抵抗

対象用途に対してJEDEC準拠に適合

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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