型番

Nexperia MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 17.7 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージMLPAK33

RS品番:: 243-4896
メーカー型番:: PXP9R1-30QLJ
メーカー/ブランド名:: Nexperia

Nexperia MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 17.7 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージMLPAK33

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RS品番:: 243-4896
メーカー型番:: PXP9R1-30QLJ
メーカー/ブランド名:: Nexperia

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Nexperia
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP
	最大連続ドレイン電流Id	17.7A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	パッケージ型式	MLPAK33
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	13.6mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	81W
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Nexperia
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプタイプP
	最大連続ドレイン電流Id 17.7A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 MLPAK33
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 13.6mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 81W
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

Datasheet - PXP9R1-30QLJ

Nexperia Pチャンネル強化モード電界効果トランジスタ(FET)は、トレンチ型MOSFET技術を採用し、MLPAK33 (SOT8002)表面実装型(SMD)プラスチックパッケージに収められています。

低しきい値電圧

Trench MOSFET技術

ハイサイド負荷スイッチ

バッテリ管理

DC-DC変換

スイッチング回路

Nexperia MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 17.7 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージMLPAK33

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