Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 11 A, 表面, 8-Pin パッケージPQFN, IRL60HS118
- RS品番:
- 243-9303
- メーカー型番:
- IRL60HS118
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 5 - 120 | ￥175.80 | ￥879 |
| 125 - 1195 | ￥154.20 | ￥771 |
| 1200 - 1595 | ￥132.20 | ￥661 |
| 1600 - 3195 | ￥110.60 | ￥553 |
| 3200 + | ￥88.80 | ￥444 |
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- RS品番:
- 243-9303
- メーカー型番:
- IRL60HS118
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 11A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 40V | |
| シリーズ | IRFH | |
| パッケージ型式 | PQFN | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.7mΩ | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 11A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 40V | ||
シリーズ IRFH | ||
パッケージ型式 PQFN | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.7mΩ | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
Infineon IRL60HS118 NチャンネルパワーMOSFETは、3種類の電圧クラス(60 V、80 V、100 V)を用意しています。Infineonの新製品であるロジックレベルパワーMOSFETで、ワイヤレス充電、通信、アダプタ用途に最適です。 PQFN 2x2パッケージは、高速スイッチングやフォームファクターが重要な用途に特に適しています。 より高い電力密度と効率の向上を実現し、スペースを大幅に節約できます。
高電力密度設計
高スイッチング周波数
OptiMOSTM5チップを使用
5V電源が利用できる場合に部品点数の削減が可能
マイクロコントローラから直接駆動（低速スイッチング）
システムコスト削減