Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 400 A, 表面, 8-Pin パッケージTO-263
- RS品番:
- 244-0901
- メーカー型番:
- IPT012N08N5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
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| 4000 - 18000 | ¥351.627 | ¥703,254 |
| 20000 - 28000 | ¥346.379 | ¥692,758 |
| 30000 - 38000 | ¥341.131 | ¥682,262 |
| 40000 + | ¥335.883 | ¥671,766 |
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- RS品番:
- 244-0901
- メーカー型番:
- IPT012N08N5ATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 400A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| シリーズ | IPT | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.2mΩ | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 400A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
シリーズ IPT | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.2mΩ | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
InfineonのTO-LeadlessパッケージのOptiMOSパワーMOSFETは、フォークリフト、小型電気自動車(LEV)、電動工具、POL、電気通信、電子ヒューズなど、最大300Aの大電流アプリケーションに対応するように最適化されています。また、パッケージサイズを60%縮小し、よりコンパクトな設計を実現します。
Nチャンネル、ノーマルレベル
100%アバランシュテストを実施
鉛未使用めっき
RoHS準拠
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