DiodesZetex MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 59 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-252, DMTH10H015SK3-13

このDiodesZetex製品は、オン抵抗(RDS(ON))を最小限に抑えながら優れたスイッチング性能を維持するように設計されたNチャンネルエンハンスメントモードMOSFETです。そのため、高効率電源管理用途に最適です。環境に配慮したデバイスで、鉛、ハロゲン、アンチモンを含んでいません。このMOSFETはTO252パッケージで提供されます。高速スイッチングと高効率を実現しています。定格温度は+175℃で、高い周囲温度の環境に最適です。100％非接触誘導スイッチングにより、より信頼性が高く、堅牢なエンドアプリケーションを実現します。

最大ドレインソース間電圧: 100 V 最大ゲートソース間電圧: ±20 V 低RDS(ON)により、電力損失を最小限に抑える 低Qgにより、スイッチング損失を最小限に抑える