Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 225 A N, 表面, 4-Pin パッケージTO-247, IMZA120R007M1HXKSA1
- RS品番:
- 248-6674
- メーカー型番:
- IMZA120R007M1HXKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 14 | ￥7,335 |
| 15 - 114 | ￥7,201 |
| 115 - 149 | ￥6,968 |
| 150 - 189 | ￥6,847 |
| 190 + | ￥6,735 |
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- RS品番:
- 248-6674
- メーカー型番:
- IMZA120R007M1HXKSA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 225A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 75V | |
| シリーズ | IMZA | |
| パッケージ型式 | TO-247 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 3mΩ | |
| チャンネルモード | N | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 80nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 81W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 225A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 75V | ||
シリーズ IMZA | ||
パッケージ型式 TO-247 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3mΩ | ||
チャンネルモード N | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 81W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon CoolSiC 1200 V、7 mΩ SiC MOSFET(TO247-4パッケージ)は、性能と信頼性を両立させるために最適化された最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されています。従来のシリコン（Si）ベースのスイッチと比較して、SiC MOSFET は1200Vクラスの中で最も低いゲート電荷及びデバイス容量、ボディダイオードの逆回復損失無し、温度依存のない低スイッチング損失、閾値依存の無いオン特性など、一連の利点があります。CoolSiC™ MOSFET は、力率改善（PFC）回路、双方向トポロジ、DC-DCコンバーターやDC-ACインバーターなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジーに理想的です。
VDSS - 1200 V @ T - 25 °C
IDCC - 225 A @ T - 25 °C
RDS(オン) - 7mΩ @ VGS - 18 V、T - 25 °C
非常に低いスイッチング損失
ベンチマークゲートしきい値電圧、VGS(th) - 4.2 V
寄生ターンオンに強く、ターンオフゲート電圧0 V印加可能
ハードコミュニティ用の頑丈なボディダイオード、
クラス最高の熱性能を実現するXT相互接続技術
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