Infineon MOSFET, Nチャンネル, 225 A, スルーホール, 4 ピン, IMZA120R007M1HXKSA1

Infineon CoolSiC 1200 V、7 mΩ SiC MOSFET(TO247-4パッケージ)は、性能と信頼性を両立させるために最適化された最先端のトレンチ半導体プロセスで製造されています。従来のシリコン（Si）ベースのスイッチと比較して、SiC MOSFET は1200Vクラスの中で最も低いゲート電荷及びデバイス容量、ボディダイオードの逆回復損失無し、温度依存のない低スイッチング損失、閾値依存の無いオン特性など、一連の利点があります。CoolSiC™ MOSFET は、力率改善（PFC）回路、双方向トポロジ、DC-DCコンバーターやDC-ACインバーターなどのハードスイッチングおよび共振スイッチングトポロジーに理想的です。

VDSS - 1200 V @ T - 25 °C
IDCC - 225 A @ T - 25 °C
RDS(オン) - 7mΩ @ VGS - 18 V、T - 25 °C
非常に低いスイッチング損失
ベンチマークゲートしきい値電圧、VGS(th) - 4.2 V
寄生ターンオンに強く、ターンオフゲート電圧0 V印加可能
ハードコミュニティ用の頑丈なボディダイオード、
クラス最高の熱性能を実現するXT相互接続技術