Infineon Nチャンネル MOSFET650 V 39 A 表面実装 パッケージTO-263-7 7 ピン
- RS品番:
- 248-9319
- メーカー型番:
- IMBG65R057M1HXTMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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| 300 - 399 | ￥1,214.00 |
| 400 - 799 | ￥1,047.00 |
| 800 + | ￥1,012.00 |
- RS品番:
- 248-9319
- メーカー型番:
- IMBG65R057M1HXTMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
Infineon SiC MOSFETは、650 V CoolSiCです。ソリッドシリコンカーバイドテクノロジに基づいて構築されており、SiCの幅広いバンドギャップ材質特性を活用しています。650 V CoolSiC MOSFETは、性能、信頼性、使いやすさを独自の組み合わせにより、高温で過酷な動作に適しており、最高のシステム効率を簡素化し、コスト効率の高い展開を可能にします。
高電流でのスイッチング行動を最適化
低Qf性能の堅牢な高速ボディダイオード
優れたゲート酸化信頼性
Tj,max-175℃と優れた熱挙動
低いRDS(オン)とパルス電流の温度依存性
アバランス機能の向上
標準ドライバに対応
ケルビンソースによりスイッチング損失が最大4倍低減
低Qf性能の堅牢な高速ボディダイオード
優れたゲート酸化信頼性
Tj,max-175℃と優れた熱挙動
低いRDS(オン)とパルス電流の温度依存性
アバランス機能の向上
標準ドライバに対応
ケルビンソースによりスイッチング損失が最大4倍低減
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 39 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 650 V |
| パッケージタイプ | TO-263-7 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 7 |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
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