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製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	インフィニオン
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	64A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	75V
	パッケージ型式	TO-263
	シリーズ	IMBG
	取付タイプ	表面
	ピン数	7
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	3mΩ
	チャンネルモード	N
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	1.3V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	80nC
	最大許容損失Pd	81W
	動作温度 Max	175°C
	規格 / 承認	RoHS
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランドインフィニオン
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 64A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 75V
	パッケージ型式 TO-263
	シリーズ IMBG
	取付タイプ表面
	ピン数 7
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 3mΩ
	チャンネルモード N
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 1.3V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 80nC
	最大許容損失Pd 81W
	動作温度 Max 175°C
	規格 / 承認 RoHS
	自動車規格なし

Datasheet - IMBG65R083M1HXTMA1

Infineon SiC MOSFETは、650 V CoolSiCです。ソリッドシリコンカーバイドテクノロジに基づいて構築されており、SiCの幅広いバンドギャップ材質特性を活用しています。650 V CoolSiC MOSFETは、性能、信頼性、使いやすさを独自の組み合わせにより、高温で過酷な動作に適しており、最高のシステム効率を簡素化し、コスト効率の高い展開を可能にします。

高電流でのスイッチング行動を最適化

低Qf性能の堅牢な高速ボディダイオード

優れたゲート酸化信頼性

Tj,max-175℃と優れた熱挙動

低いRDS(オン)とパルス電流の温度依存性

アバランス機能の向上

標準ドライバに対応

ケルビンソースによりスイッチング損失が最大4倍低減

Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 75 V, 64 A N, 表面, 7-Pin パッケージTO-263

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