Texas Instruments MOSFET, タイプNチャンネル 12 V, 10.7 A エンハンスメント型, 表面 パッケージVSONP, CSD17578Q3AT
- RS品番:
- 252-8483
- メーカー型番:
- CSD17578Q3AT
- メーカー/ブランド名:
- Texas Instruments
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- CSD17578Q3AT
- メーカー/ブランド名:
- Texas Instruments
仕様
データシート
その他
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Texas Instruments | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10.7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 12V | |
| パッケージ型式 | VSONP | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 12.9mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 1.9W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Texas Instruments | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 10.7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 12V | ||
パッケージ型式 VSONP | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 12.9mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 1.9W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
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