Vishay MOSFET, タイプN, タイプN, タイプP, タイプPチャンネル, 20 V, 6 A, 1.4 Ω, パッケージ：PowerPAK ChipFET
- RS品番:
- 256-7375
- メーカー型番:
- SI5517DU-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 256-7375
- メーカー型番:
- SI5517DU-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN, タイプN, タイプP, タイプP | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 20 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 6 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 1.4 Ω | |
| パッケージ型式 | PowerPAK ChipFET | |
| 自動車規格 | なし | |
| 順方向電圧 (Vf) | 1.2 V | |
| 動作温度 (Max) | 175 °C | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 規格 / 承認 | No | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN, タイプN, タイプP, タイプP | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 20 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 6 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 1.4 Ω | ||
パッケージ型式 PowerPAK ChipFET | ||
自動車規格 なし | ||
順方向電圧 (Vf) 1.2 V | ||
動作温度 (Max) 175 °C | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ 表面 | ||
規格 / 承認 No | ||
The Vishay Semiconductor Nand P-channel 20 V (D-S) mosfet 6A 8.3W surface mount its applications are complementary mosfet for portable devices Ideal for buck-boost circuits.
TrenchFET power mosfet
Small footprint area
Low on-resistance
Thin 0.8 mm profile
100% Rg tested
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