Vishay MOSFET, タイプN, タイプN, タイプP, タイプPチャンネル, 6 A 20 V, 表面, SI5517DU-T1-GE3 パッケージPowerPAK ChipFET
- RS品番:
- 256-7375
- メーカー型番:
- SI5517DU-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 256-7375
- メーカー型番:
- SI5517DU-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN, タイプN, タイプP, タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | PowerPAK ChipFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.4Ω | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN, タイプN, タイプP, タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 PowerPAK ChipFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.4Ω | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay Semiconductor Nand Pチャンネル20 V (D-S)モスフェット6 A 8.3 W表面実装用途は、ポータブルデバイス向けの補完モスフェットで、バックブースト回路に最適です。
トレンチFETパワーモスフェット
小さなフットプリントエリア
低オン抵抗
薄型0.8 mmプロファイル
100 % Rgテスト済み
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