Vishay MOSFET, N, Pチャンネル, 6 A, 表面実装, SI5517DU-T1-GE3
- RS品番:
- 256-7375
- メーカー型番:
- SI5517DU-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
- RS品番:
- 256-7375
- メーカー型番:
- SI5517DU-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N, P | |
| 最大連続ドレイン電流 | 6 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 20 V | |
| パッケージタイプ | PowerPAK ChipFET | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N, P | ||
最大連続ドレイン電流 6 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 20 V | ||
パッケージタイプ PowerPAK ChipFET | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
Vishay Semiconductor Nand Pチャンネル20 V (D-S) mosfet 6 A 8.3 W表面実装の用途は、バックブースト回路に最適なポータブルデバイスの補完的なmosfetです。
TrenchFETパワーモスフェット
フットプリント面積が小さい
低オン抵抗
薄型0.8 mmプロファイル
100 % Rgテスト済み
フットプリント面積が小さい
低オン抵抗
薄型0.8 mmプロファイル
100 % Rgテスト済み