Infineon MOSFET, Nチャンネル, 100 V, 67 A, 12.4 mΩ, 49 nC, 3ピン, パッケージ:TO-252

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 袋(1袋2個入り) 小計:*

¥520.00

(税抜)

¥572.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 2,432 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
購入単位毎合計*
2 - 48¥260.00¥520
50 - 498¥229.00¥458
500 - 998¥198.50¥397
1000 - 1998¥167.00¥334
2000 +¥135.00¥270

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
258-3835
メーカー型番:
IPD12CN10NGATMA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

67A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-252

シリーズ

IPD

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

12.4mΩ

チャンネルモード

P

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

1V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

49nC

最大許容損失Pd

125W

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon OptiMOSパワーMOSFETは、高効率、高電力密度のSMPSに優れたソリューションを提供します。このファミリは、次の最高のテクノロジーと比較して、R DS(on)とFOMの両方を30 %削減

優れたスイッチング性能

世界最低のR DS(on)

環境に優しい

効率の向上

最高電力密度

関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。