Infineon MOSFET650 V 22 A SMD パッケージPG-TO 247

Infineon 600 V CoolMOS C7スーパージャンクションMOSFETシリーズは、CoolMOS CPと比較してターンオフ損失を約50 %削減し、PFC、TTF、その他のハードスイッチングトポロジで優れた性能を発揮します。このMOSFETは、高電力密度の充電器設計にも最適です。ハイパーデータセンターや高効率通信整流器などの効率及びTCO用途(>96 %)は、CoolMOS C7のより高い効率の恩恵を受けます。ゲインは、PFCトポロジで0.3～0.7 %、LLCトポロジで0.1 %を実現可能です。たとえば、2.5 kWサーバーPSUの場合、TO-247 4ピンパッケージの600 V CoolMOS C7 SJ MOSFETを使用すると、PSUエネルギー損失のエネルギーコストを約10 %削減できます。

スイッチング周波数の向上
世界最高のR (on)A
頑丈なボディダイオード
軽負荷及びフル負荷効率の主要パラメータを表示する測定
スイッチング周波数を2倍にすると、磁気コンポーネントのサイズが半分になります。
同じR DS(on)用の小型パッケージ
ハードスイッチングトポロジの両方とソフトスイッチングトポロジの両方でさらに多くのポジションで使用可能