Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 22 A, 3-Pin パッケージTO-247

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RS品番:
258-3906
メーカー型番:
IPW60R099C7XKSA1
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

22A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

シリーズ

IPW

パッケージ型式

TO-247

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

99mΩ

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

42nC

最大許容損失Pd

110W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.9V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Infineon 600 V CoolMOS C7スーパージャンクションMOSFETシリーズは、CoolMOS CPと比較してターンオフ損失を約50 %削減し、PFC、TTF、その他のハードスイッチングトポロジで優れた性能を発揮します。このMOSFETは、高電力密度の充電器設計にも最適です。ハイパーデータセンターや高効率通信整流器などの効率及びTCO用途(>96 %)は、CoolMOS C7のより高い効率の恩恵を受けます。ゲインは、PFCトポロジで0.3~0.7 %、LLCトポロジで0.1 %を実現可能です。たとえば、2.5 kWサーバーPSUの場合、TO-247 4ピンパッケージの600 V CoolMOS C7 SJ MOSFETを使用すると、PSUエネルギー損失のエネルギーコストを約10 %削減できます。

スイッチング周波数の向上

世界最高のR (on)A

頑丈なボディダイオード

軽負荷及びフル負荷効率の主要パラメータを表示する測定

スイッチング周波数を2倍にすると、磁気コンポーネントのサイズが半分になります。

同じR DS(on)用の小型パッケージ

ハードスイッチングトポロジの両方とソフトスイッチングトポロジの両方でさらに多くのポジションで使用可能

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