Infineon MOSFET700 V 211 A 表面実装 パッケージPG-TO 247

Infineon 650 V CoolMOS CFD7スーパージャンクションMOSFET TO-247パッケージは、サーバー、通信、太陽光発電、EV充電ステーションなどの産業用途での共振トポロジに最適で、競合他社に比べて効率を大幅に向上させることができます。CFD2 SJ MOSFETファミリの後継製品として、ゲート電荷の低減、ターンオフ動作の改善、逆回復電荷の低減により、最高の効率と電力密度を実現し、さらに50 Vのブレークダウン電圧を実現します。

超高速ボディダイオード及び超低Qrr
破壊電圧: 650 V
競合他社と比べてスイッチング損失を大幅に削減
ハードコミューティングに対する優れた堅牢性
バス電圧の増加を伴う設計に対する追加のセーフティマージン
高い電力密度を実現