Infineon MOSFET 100 V, 6.6 A, 表面, 5-Pin パッケージTO-220
- RS品番:
- 258-3978P
- メーカー型番:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 258-3978P
- メーカー型番:
- IRFI4212H-117PXKMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6.6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 5 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 58mΩ | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 12nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 10 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 6.6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 5 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 58mΩ | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 12nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 10 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
Infineon StrongIRFETパワーMOSFETファミリは、低RDS(on)及び高電流性能に最適化されています。このデバイスは、性能と堅牢性を必要とする低周波数用途に最適です。この包括的なポートフォリオは、DCモータ、バッテリ管理システム、インバータ、DC-DCコンバータなどの幅広い用途に対応しています。
内蔵ハーフブリッジパッケージ
高効率及びTHD
低EMI
環境に優しい