Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 102 A N, 表面, 8-Pin パッケージTSDSON
- RS品番:
- 259-1484P
- メーカー型番:
- BSZ0902NSIATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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個 | 単価 |
|---|---|
| 150 - 1495 | ￥147.40 |
| 1500 - 1995 | ￥126.40 |
| 2000 - 3995 | ￥105.40 |
| 4000 + | ￥83.60 |
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- RS品番:
- 259-1484P
- メーカー型番:
- BSZ0902NSIATMA1
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 102A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| シリーズ | BSZ | |
| パッケージ型式 | TSDSON | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 2.8Ω | |
| チャンネルモード | N | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 102A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
シリーズ BSZ | ||
パッケージ型式 TSDSON | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 2.8Ω | ||
チャンネルモード N | ||
規格 / 承認 No | ||
自動車規格 なし | ||
InfineonパワーMOSFETは、超低ゲートと出力電荷を備え、小型フットプリントパッケージのオンステート抵抗とともに、OptiMOS 25 Vをサーバー、データ通信、通信用途における電圧レギュレータソリューションの要求の厳しい要件に最適な選択肢にします。EMI動作の向上とバッテリ寿命の延長により、ノートブックの電源管理ニーズに合わせてカスタマイズされています。
超低ゲート及び出力充電
小型のフットプリントパッケージで最も低いオンステート抵抗
設計が簡単
バッテリ寿命の延長
EMI動作の改善により、外部スナバーネットワークが時代遅れ
コスト削減
省スペース
電力損失を軽減