Infineon Nチャンネル MOSFETトランジスタ80 V 170 A 表面実装 パッケージPG-TO263-3
- RS品番:
- 259-2574
- メーカー型番:
- IPB019N08NF2SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
在庫切れ
単価： 購入単位は800 個
￥253.846
(税抜)
￥279.231
(税込)
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | ￥253.846 | ￥203,076.80 |
| 1600 - 7200 | ￥246.269 | ￥197,015.20 |
| 8000 - 11200 | ￥233.136 | ￥186,508.80 |
| 12000 - 15200 | ￥226.569 | ￥181,255.20 |
| 16000 + | ￥220.001 | ￥176,000.80 |
* 購入単位ごとの価格
- RS品番:
- 259-2574
- メーカー型番:
- IPB019N08NF2SATMA1
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
その他
詳細情報
Infineon StrongIRFET 2パワーMOSFETは、SMPS、モータ駆動、バッテリ駆動、バッテリ管理、UPS、軽電気自動車などの幅広い用途に最適化されています。この新しいテクノロジーは、以前のStrongIRFETデバイスに比べて最大40 %のRDS(on)の改善と最大60 %のQgの低減を実現し、高い電力効率により全体的なシステムパフォーマンスを向上させます。定格電流の増加により、より高い電流伝送能力を実現し、複数のデバイスを並列化する必要がなくなります。これにより、BOMコストと基板の節約が低減されます。
ディストリビューションパートナーから幅広く利用可能
優れた価格 / 性能比
高 / 低スイッチング周波数に最適
業界標準のフットプリントスルーホールパッケージ
高定格電流
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高 / 低スイッチング周波数に最適
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高定格電流
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 170 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 80 V |
| パッケージタイプ | PG-TO263-3 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
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