STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 12 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, STP80N340K6

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋2個入り) 小計：*

￥2,244.00

(税抜)

￥2,468.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 476 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
2 - 8￥1,122.00￥2,244
10 - 18￥1,097.50￥2,195
20 - 28￥1,071.50￥2,143
30 - 38￥1,047.00￥2,094
40 +￥1,021.50￥2,043

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
269-5164
メーカー型番:
STP80N340K6
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

12A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

シリーズ

STP

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

340mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

17.8nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

115W

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

幅

10.4 mm

長さ

28.9mm

高さ

4.6mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronics NチャンネルパワーMOSFETは、超高電圧で、最高のMDmesh K6テクノロジーを使用して設計されています。これにより、優れた電力密度と高効率を必要とする用途において、エリア及びゲート電荷あたりの抵抗が最高クラスになります。

超低ゲート電荷

100 %アバランシェテスト済み

関連ページ