STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 7 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, STP80N600K6

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梱包形態
RS品番:
275-1356
メーカー型番:
STP80N600K6
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

シリーズ

STP

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

600mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

10.7nC

順方向電圧 Vf

1.5V

最大許容損失Pd

86W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

動作温度 Max

150°C

高さ

4.6mm

長さ

28.9mm

規格 / 承認

RoHS

幅

10.4 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronicsの高電圧NチャンネルパワーMOSFETは、スーパージャンクション技術に基づいた究極のMDmesh K6技術を使用して設計されています。この結果は、優れた電力密度と高効率を必要とする用途向けに、エリアあたりの抵抗とゲート充電でクラス最高です。

超低ゲート充電

100 %バランステスト済み

ゼナー保護

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