STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 6 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, STP80N900K6

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梱包形態
RS品番:
285-5915
メーカー型番:
STP80N900K6
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

800V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

STP

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

900mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

68W

最大ゲートソース電圧Vgs

30 V

順方向電圧 Vf

1.5V

動作温度 Max

150°C

長さ

28.9mm

幅

10.4 mm

高さ

4.6mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
STMicroelectronicsの超高電圧NチャンネルパワーMOSFETは、20年にわたるSTMicroelectronicsのスーパージャンクション技術の経験に基づく最高のMDmesh K6技術を使用して設計されています。その結果、優れた電力密度と高効率を必要とする用途向けに、面積とゲート電荷あたりのクラス最高のオン抵抗が得られます。

世界最高のRDS(on) x エリア

世界最高の FOM （性能指数）

超低ゲート電荷

100 %アバランシェテスト済み

Zener保護

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