STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 800 V, 6 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, STP80N900K6
- RS品番:
- 285-5915P
- メーカー型番:
- STP80N900K6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 285-5915P
- メーカー型番:
- STP80N900K6
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 800V | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| シリーズ | STP | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 900mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 68W | |
| 順方向電圧 Vf | 1.5V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 30 V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 7nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 高さ | 4.6mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 10.4 mm | |
| 長さ | 28.9mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 6A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 800V | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
シリーズ STP | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 900mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 68W | ||
順方向電圧 Vf 1.5V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 30 V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 7nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
高さ 4.6mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 10.4 mm | ||
長さ 28.9mm | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
STMicroelectronicsの超高電圧NチャンネルパワーMOSFETは、20年にわたるSTMicroelectronicsのスーパージャンクション技術の経験に基づく最高のMDmesh K6技術を使用して設計されています。その結果、優れた電力密度と高効率を必要とする用途向けに、面積とゲート電荷あたりのクラス最高のオン抵抗が得られます。
世界最高のRDS(on) x エリア
世界最高の FOM （性能指数）
超低ゲート電荷
100 %アバランシェテスト済み
Zener保護