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    onsemi Nチャンネル MOSFET100 V 56A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン

    RS品番:
    329-1013
    メーカー型番:
    HUF75639P3
    メーカー/ブランド名:
    onsemi
    onsemi
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    329-1013
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    HUF75639P3
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    詳細情報

    UltraFET® MOSFET、Fairchild Semiconductor


    UItraFET® Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。
    用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理


    MOSFET トランジスタ、 ON Semi


    ON Semi は、高電圧>( 250 V )<タイプと低電圧( 250 V )タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
    ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

    仕様

    特性Value
    チャンネルタイプN
    最大連続ドレイン電流56A
    最大ドレイン-ソース間電圧100 V
    パッケージタイプTO-220AB
    実装タイプスルーホール
    ピン数3
    最大ドレイン-ソース間抵抗25 mΩ
    チャンネルモードエンハンスメント型
    最低ゲートしきい値電圧2V
    最大パワー消費200 W
    トランジスタ構成シングル
    最大ゲート-ソース間電圧-20 V, +20 V
    動作温度 Max+175 °C
    1チップ当たりのエレメント数1
    4.83mm
    長さ10.67mm
    標準ゲートチャージ @ Vgs110 nC @ 20 V
    トランジスタ素材Si
    動作温度 Min-55 °C
    高さ9.4mm
    シリーズUltraFET
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    ¥349.00

    (税抜)

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    単価
    1 - 12¥349.00
    13 - 24¥346.00
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