onsemi MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 56 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, HUF75639P3

ボリュームディスカウント対象商品

1個小計:*

¥513.00

(税抜)

¥564.30

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 72 2025年12月29日 に入荷予定
  • 273 2026年1月05日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
1 - 1¥513
2 - 19¥487
20 - 29¥462
30 - 39¥436
40 +¥412

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
329-1013
メーカー型番:
HUF75639P3
メーカー/ブランド名:
onsemi
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

onsemi

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

56A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

TO-220

シリーズ

UltraFET

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

25mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

110nC

最大許容損失Pd

200W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

10.67mm

4.83 mm

高さ

9.4mm

自動車規格

なし

未対応

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


UltraFET® MOSFET、Fairchild Semiconductor


UItraFET® Trench MOSFETは、電力変換の用途においてベンチマーク効率を実現する特性を統合しています。 このデバイスは、アバランシェモードでの高エネルギーに耐えることができ、ダイオードの逆回復時間は非常に短く、保存電荷量は非常に小さいです。 高い周波数、最低のRDS(on)、低いESR、低い総電荷量及びミラーゲート電荷量を実現できるように最適化されています。

用途: 高周波DC-DCコンバータ、スイッチングレギュレータ、モータドライバ、低電圧バススイッチ、及び電源管理

MOSFET トランジスタ、 ON Semi


ON Semi は、高電圧>( 250 V )<タイプと低電圧( 250 V )タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。

ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。

関連ページ