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MOSFET・モスフェット
Infineon Nチャンネル MOSFET250 V 100 mA 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
RS品番:
354-5770P
メーカー型番:
BSS139H6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
Infineon
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取扱終了
RS品番:
354-5770P
メーカー型番:
BSS139H6327XTSA1
メーカー/ブランド名:
Infineon
その他
詳細情報
仕様
未対応
Infineon SIPMOS® NチャンネルMOSFET
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
特性
チャンネルタイプ
N
最大連続ドレイン電流
100 mA
最大ドレイン-ソース間電圧
250 V
シリーズ
SIPMOS
パッケージタイプ
SOT-23
実装タイプ
表面実装
ピン数
3
最大ドレイン-ソース間抵抗
14 Ω
チャンネルモード
デプレッション型
最大ゲートしきい値電圧
1V
最低ゲートしきい値電圧
2.1V
最大パワー消費
360 mW
トランジスタ構成
シングル
最大ゲート-ソース間電圧
-20 V, +20 V
幅
1.3mm
動作温度 Max
+150 °C
1チップ当たりのエレメント数
1
標準ゲートチャージ @ Vgs
2.3 nC @ 5 V
トランジスタ素材
Si
長さ
2.9mm
高さ
1mm
動作温度 Min
-55 °C