International Rectifier Pチャンネル MOSFETトランジスタ100 V 40 A 表面実装 パッケージD2PAK 3 ピン
- RS品番:
- 395-6489
- メーカー型番:
- IRF5210S
- メーカー/ブランド名:
- International Rectifier
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- RS品番:
- 395-6489
- メーカー型番:
- IRF5210S
- メーカー/ブランド名:
- International Rectifier
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | International Rectifier | |
| チャンネルタイプ | P | |
| 最大連続ドレイン電流 | 40 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 100 V | |
| パッケージタイプ | D2PAK | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 60 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大パワー消費 | 200 W | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V | |
| 長さ | 10.54mm | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 180 nC @ 10 V | |
| 動作温度 Max | +175 °C | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 幅 | 10.21mm | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 高さ | 4.69mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド International Rectifier | ||
チャンネルタイプ P | ||
最大連続ドレイン電流 40 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 100 V | ||
パッケージタイプ D2PAK | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 60 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大パワー消費 200 W | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V | ||
長さ 10.54mm | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 180 nC @ 10 V | ||
動作温度 Max +175 °C | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
幅 10.21mm | ||
シリーズ HEXFET | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
高さ 4.69mm | ||
未対応
PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon
InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
MOSFETトランジスタ、Infineon
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