STMicroelectronics MOSFETトランジスタ, Nチャンネル, 50 A, 表面実装, 3 ピン, STB55NF06
- RS品番:
- 485-7254P
- メーカー型番:
- STB55NF06
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
ボリュームディスカウント対象商品
25個小計 (リールカット)*
￥1,925.00
(税抜)
￥2,117.50
(税込)
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個 | 単価 |
|---|---|
| 25 - 95 | ￥77.00 |
| 100 - 245 | ￥66.00 |
| 250 - 495 | ￥59.00 |
| 500 + | ￥53.00 |
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- RS品番:
- 485-7254P
- メーカー型番:
- STB55NF06
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 50 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 60 V | |
| シリーズ | STripFET II | |
| パッケージタイプ | D2PAK | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 18 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 4V | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V | |
| 最大パワー消費 | 110W | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 長さ | 10.4mm | |
| 幅 | 9.35mm | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 44.5 nC @ 10 V | |
| 動作温度 Max | +175 °C | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| 高さ | 4.6mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 50 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 60 V | ||
シリーズ STripFET II | ||
パッケージタイプ D2PAK | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 18 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 4V | ||
最低ゲートしきい値電圧 2V | ||
最大パワー消費 110W | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
長さ 10.4mm | ||
幅 9.35mm | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 44.5 nC @ 10 V | ||
動作温度 Max +175 °C | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
高さ 4.6mm | ||
RoHSステータス: 該当なし
NチャンネルSTripFET™ II、STMicroelectronics
広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics