2 STMicroelectronics パワーMOSFET 分離式, タイプNチャンネル, 4 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC
- RS品番:
- 485-8358P
- メーカー型番:
- STS4DNF60L
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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個 | 単価 |
|---|---|
| 125 - 1195 | ￥369.20 |
| 1200 - 1595 | ￥322.20 |
| 1600 - 1995 | ￥275.20 |
| 2000 + | ￥228.00 |
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- RS品番:
- 485-8358P
- メーカー型番:
- STS4DNF60L
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| シリーズ | STripFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 55mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 15nC | |
| 最大許容損失Pd | 2W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 15 V | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| 幅 | 4 mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.25mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
シリーズ STripFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 55mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 15nC | ||
最大許容損失Pd 2W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 15 V | ||
動作温度 Min 150°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
動作温度 Max -55°C | ||
幅 4 mm | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.25mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
NチャンネルSTripFET™デュアルMOSFET、STMicroelectronics
広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET™ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。