STMicroelectronics Nチャンネル MOSFETトランジスタ200 V 1 A 表面実装 パッケージSOT-223 4 ピン
- RS品番:
- 486-2133
- メーカー型番:
- STN1N20
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- STN1N20
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 1 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 200 V | |
| パッケージタイプ | SOT-223 | |
| 実装タイプ | 表面実装 | |
| ピン数 | 4 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 1.5 Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大パワー消費 | 2.9 W | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V | |
| 長さ | 6.5mm | |
| 動作温度 Max | +150 °C | |
| 幅 | 3.5mm | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| 高さ | 1.8mm | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 1 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 200 V | ||
パッケージタイプ SOT-223 | ||
実装タイプ 表面実装 | ||
ピン数 4 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 1.5 Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大パワー消費 2.9 W | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V | ||
長さ 6.5mm | ||
動作温度 Max +150 °C | ||
幅 3.5mm | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 13 nC @ 10 V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
高さ 1.8mm | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
MOSFET - Nチャンネル
MOSFET (金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ)は、電気信号の増幅又は切り替えに使用するトランジスタです。
酸化膜絶縁ゲート電極の電圧は、ソースとドレインという2つの接点間に伝導チャネルを誘導することができます。チャネルは、N型又はP型になります。
酸化膜絶縁ゲート電極の電圧は、ソースとドレインという2つの接点間に伝導チャネルを誘導することができます。チャネルは、N型又はP型になります。