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ディスクリート・ディスクリート半導体
MOSFET・モスフェット
Infineon Pチャンネル MOSFET55 V 74 A スルーホール パッケージTO-220AB 3 ピン
RS品番:
540-9799P
メーカー型番:
IRF4905PBF
メーカー/ブランド名:
Infineon
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¥362.00
20 - 29
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30 - 39
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40 +
¥178.00
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プロダクションパッケージ(返品不可)
RS品番:
540-9799P
メーカー型番:
IRF4905PBF
メーカー/ブランド名:
Infineon
データシート
その他
詳細情報
仕様
Datasheet
ESD Control Selection Guide V1
Group 6
3D
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RoHSステータス: 適合
Infineon PチャンネルパワーMOSFET 40 → 55 V
InfinionのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品は表面実装およびリード線付きパッケージのP-channelデバイス、そしてほとんどの基板レイアウトと熱設計に対応できるフォームファクタを含みます。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。
特性
チャンネルタイプ
P
最大連続ドレイン電流
74 A
最大ドレイン-ソース間電圧
55 V
パッケージタイプ
TO-220AB
シリーズ
HEXFET
実装タイプ
スルーホール
ピン数
3
最大ドレイン-ソース間抵抗
20 mΩ
チャンネルモード
エンハンスメント型
最大ゲートしきい値電圧
4V
最低ゲートしきい値電圧
2V
最大パワー消費
200 W
トランジスタ構成
シングル
最大ゲート-ソース間電圧
-20 V, +20 V
トランジスタ素材
Si
1チップ当たりのエレメント数
1
標準ゲートチャージ @ Vgs
180 nC @ 10 V
動作温度 Max
+175 °C
高さ
8.77mm
動作温度 Min
-55 °C