Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 130 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, IRL1004PBF

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梱包形態
RS品番:
541-2105
Distrelec 品番:
303-41-389
メーカー型番:
IRL1004PBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

130A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

LogicFET

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

最大許容損失Pd

200W

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

100nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

175°C

高さ

8.77mm

規格 / 承認

No

4.69 mm

長さ

10.54mm

自動車規格

なし

Distrelec Product Id

30341389

COO(原産国):
CN

インフィニオンLogicFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流130A、最大許容損失200W - IRL1004PBF


この高性能MOSFETはSi技術を採用し、さまざまな電子アプリケーションにおける効率的な電源管理用に設計されています。エンハンスメントモードのNチャンネル構造により効果的な動作が保証されるため、最新のオートメーションや電気システム、特に高出力回路に適している。

特徴と利点


• 最大130Aの連続ドレイン電流容量

• 最大40Vのドレイン・ソース間電圧で堅牢な性能を確保

• 7mΩの低Rds(on)で発熱を低減

• 最高使用温度+175℃の高い熱安定性

• コンパクトなTO-220ABパッケージにより、多様な実装オプションが可能

用途


• 高効率電源回路

• 自動車および産業オートメーションシステム

• エネルギー管理および変換システム

Rds(on)はデバイスの効率にどのように寄与するのですか?


Rds(on)が7mΩと低いため、動作中の電力損失を最小限に抑え、熱を低減し、パワー・アプリケーションの全体的な効率を向上させます。

動作温度範囲の意味は何ですか?


このデバイスは、-55℃~+175℃の広い温度範囲で機能することが可能で、多様な環境条件下で信頼できる性能を保証し、熱故障のリスクを最小限に抑える。

高周波スイッチング・アプリケーションに使用できますか?


そう、高速スイッチングが可能なように設計されているため、高周波動作に適しており、通信システムや制御システムのパフォーマンスを向上させる。

設置にはどのような配慮が必要ですか?


大電力デバイスは機能と信頼性を維持するために効果的な放熱が必要であるため、適切なヒートシンクなどの適切な熱管理技術を利用する。

ゲート・ソース間電圧が最大定格を超えるとどうなりますか?


ゲート・ソース間電圧の最大値を超えると、デバイスの故障につながる可能性があるため、長寿命と破損防止のためには、指定された制限値を守ることが極めて重要です。

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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