Infineon Nチャンネル MOSFET100 V 8.1 A スルーホール パッケージTO-220 3 ピン
- RS品番:
- 543-0507
- メーカー型番:
- IRLI520NPBF
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
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- RS品番:
- 543-0507
- メーカー型番:
- IRLI520NPBF
- メーカー/ブランド名:
- Infineon
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | |
| チャンネルタイプ | N | |
| 最大連続ドレイン電流 | 8.1 A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 100 V | |
| パッケージタイプ | TO-220 | |
| 実装タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 180 mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 2V | |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 1V | |
| 最大パワー消費 | 30000 mW | |
| トランジスタ構成 | シングル | |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -16 V, +16 V | |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 20 nC @ 5 V | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 | |
| トランジスタ素材 | Si | |
| 動作温度 Max | +175 °C | |
| 動作温度 Min | -55 °C | |
| シリーズ | LogicFET | |
| 高さ | 9.8mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Infineon | ||
チャンネルタイプ N | ||
最大連続ドレイン電流 8.1 A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧 100 V | ||
パッケージタイプ TO-220 | ||
実装タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗 180 mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートしきい値電圧 2V | ||
最低ゲートしきい値電圧 1V | ||
最大パワー消費 30000 mW | ||
トランジスタ構成 シングル | ||
最大ゲート-ソース間電圧 -16 V, +16 V | ||
標準ゲートチャージ @ Vgs 20 nC @ 5 V | ||
1チップ当たりのエレメント数 1 | ||
トランジスタ素材 Si | ||
動作温度 Max +175 °C | ||
動作温度 Min -55 °C | ||
シリーズ LogicFET | ||
高さ 9.8mm | ||
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon
InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
MOSFETトランジスタ、Infineon
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